自2003年启动半导体照明工程和“十一五”863重大项目实施以来，我国LED外延材料、芯片制造、器件封装、荧光粉等方面均已显现具有自主技术产权的单元技术，部分核心技术具有原创性，初步形成了从上游材料、中游芯片制备、下游器件封装及集成应用的比较完整的研发与产业体系，为我国LED产业做大做强在一定程度上奠定了基础。目前我国芯片企业产业化线上完成的功率型芯片封装后光效超过90lm/W。具有自主知识产权的功率型硅衬底LED芯片封装后光效达到78lm/W，处于国际先进水平。根据国家半导体照明工程研发及产业联盟统计，从2004年开始国内LED产业累计新增投资规模达150亿元，最近连续3年，每年企业订购并安装投入的MOCVD数量超过50台以上，国产化率大幅提高，截止2008年底，芯片国产化率达到49%(见图1)。按照目前联盟成员单位的扩产计划和机台订单数量，预计未来3年国内将增加MOCVD近两百台。目前Cree、旭明以及台湾芯片厂商都以合资的形式进入了国内，势必进一步带动芯片的国产化。2015年芯片国产化率有可能达到70%。